ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRC644 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 14A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 250V. Drain-to-source on-resistance 0.28 Ohm
|
ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRC644 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 14A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 250V. Drain-to-source on-resistance 0.28 Ohm
|