ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRC730 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 5.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 400V. Drain-to-source on-resistance 1.0 Ohm
|
ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRC730 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 5.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 400V. Drain-to-source on-resistance 1.0 Ohm
|