ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRC740 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 10A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 400V. Drain-to-source on-resistance 0.55 Ohm
|
ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRC740 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 10A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 400V. Drain-to-source on-resistance 0.55 Ohm
|