ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRC830 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
|
ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRC830 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
|