IRF5810 - HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = -2.9A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 135 mOhm, ID = -2.3A @ VGS = -2.5V

IRF5810 Datasheet
Название:IRF5810
Информация:HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = -2.9A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 135 mOhm, ID = -2.3A @ VGS = -2.5V
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:TSOP
Кол-во выводов:6
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRF5810.PDF