IRF820FI - N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A

IRF820FI Datasheet
Название:IRF820FI
Информация:N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A
Производитель:SGS-Thomson Microelectronics
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:ISOWATT220
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRF820FI.PDF