IRF822FI - N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A

IRF822FI Datasheet
Название:IRF822FI
Информация:N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
Производитель:SGS-Thomson Microelectronics
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:ISOWATT220
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRF822FI.PDF