IRFBE30 - HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A

IRFBE30 Datasheet
Название:IRFBE30
Информация:HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRFBE30.PDF