ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRG4BC20MD - Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 11A
|
ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
IRG4BC20MD - Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 11A
|