IRG4BC20SD - Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.4V @ VGE = 15V, IC = 10A

IRG4BC20SD Datasheet
Название:IRG4BC20SD
Информация:Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.4V @ VGE = 15V, IC = 10A
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRG4BC20SD.PDF