IRG4PH30K - Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A

IRG4PH30K Datasheet
Название:IRG4PH30K
Информация:Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRG4PH30K.PDF