IRG4PH50S - Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 1.47V @ VGE = 15V, IC = 33A

IRG4PH50S Datasheet
Название:IRG4PH50S
Информация:Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 1.47V @ VGE = 15V, IC = 33A
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRG4PH50S.PDF