IRG4RC10SD - Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A

IRG4RC10SD Datasheet
Название:IRG4RC10SD
Информация:Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRG4RC10SD.PDF