K4S160822DT-G-F10 - 1M x 8bit x 2 banks synchronous DRAM. 2M x 8 SDRAM. Max freq. 100 MHz, interface LVTTL.

K4S160822DT-G-F10 Datasheet
Название:K4S160822DT-G-F10
Информация:1M x 8bit x 2 banks synchronous DRAM. 2M x 8 SDRAM. Max freq. 100 MHz, interface LVTTL.
Производитель:Samsung Electronic
Темп. режим:Min: 0 | Max: 70
Корпус:TSOP (II)
Кол-во выводов:44
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
K4S160822DT-G-F10.PDF