L225 - 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L225 Datasheet
Название:L225
Информация:6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
L225.PDF