L2821 - 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L2821 Datasheet
Название:L2821
Информация:8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:SO
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
L2821.PDF