L8801P - 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L8801P Datasheet
Название:L8801P
Информация:10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
L8801P.PDF