L8821P - 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L8821P Datasheet
Название:L8821P
Информация:5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
L8821P.PDF