LB401 - 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LB401 Datasheet
Название:LB401
Информация:130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
LB401.PDF