LC801 - 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LC801 Datasheet
Название:LC801
Информация:20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:6
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
LC801.PDF