LP801 - 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP801 Datasheet
Название:LP801
Информация:15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
LP801.PDF