LP802 - 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP802 Datasheet
Название:LP802
Информация:30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
LP802.PDF