LQ801 - 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ801 Datasheet |
Название: | LQ801 |
Информация: | 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor |
Производитель: | POFET |
Темп. режим: | Min: -65 | Max: 150 |
Корпус: | N/A |
Кол-во выводов: | 4 |
Скачать Datasheet: |
LQ801.PDF
|
|