LX803 - 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LX803 Datasheet |
Название: | LX803 |
Информация: | 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor |
Производитель: | POFET |
Темп. режим: | Min: -65 | Max: 150 |
Корпус: | N/A |
Кол-во выводов: | 2 |
Скачать Datasheet: |
LX803.PDF
|
|