LY402 - 220 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LY402 Datasheet |
| Название: | LY402 |
| Информация: | 220 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor |
| Производитель: | POFET |
| Темп. режим: | Min: -65 | Max: 150 |
| Корпус: | N/A |
| Кол-во выводов: | 4 |
| Скачать Datasheet: |
LY402.PDF
|
|