MGW12N120D - Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode

MGW12N120D Datasheet
Название:MGW12N120D
Информация:Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode
Производитель:Motorola
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
MGW12N120D.PDF