MJE18004D2 - High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network

MJE18004D2 Datasheet
Название:MJE18004D2
Информация:High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network
Производитель:ON Semiconductor
Темп. режим:Min: - | Max: -
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
MJE18004D2.PDF