MTW23N25E - TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

MTW23N25E Datasheet
Название:MTW23N25E
Информация:TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole
Производитель:Motorola
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
MTW23N25E.PDF