NE4210S01-T1B - GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification

NE4210S01-T1B Datasheet
Название:NE4210S01-T1B
Информация:GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
Производитель:NEC Electronics Inc.
Темп. режим:Min: - | Max: -
Корпус:N/A
Кол-во выводов:-
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
NE4210S01-T1B.PDF