NTE3323 - Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.

NTE3323 Datasheet
Название:NTE3323
Информация:Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
Производитель:NTE
Темп. режим:Min: 0 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
NTE3323.PDF