P122 - 1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P122 Datasheet
Название:P122
Информация:1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:SO
Кол-во выводов:6
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
P122.PDF