P123 - 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P123 Datasheet
Название:P123
Информация:2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
P123.PDF