PHB3N50E - 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated

PHB3N50E Datasheet
Название:PHB3N50E
Информация:500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Производитель:Philips Semiconductors
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:SOT
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
PHB3N50E.PDF