PHD2N60E - 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated

PHD2N60E Datasheet
Название:PHD2N60E
Информация:600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Производитель:Philips Semiconductors
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:SOT
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
PHD2N60E.PDF