PJ2N5551CT - 180V; 600mA NPN epitaxial silicon transistor

PJ2N5551CT Datasheet
Название:PJ2N5551CT
Информация:180V; 600mA NPN epitaxial silicon transistor
Производитель:PROMX
Темп. режим:Min: -20 | Max: 85
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
PJ2N5551CT.PDF