S8201 - 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

S8201 Datasheet
Название:S8201
Информация:4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
S8201.PDF