S8202 - 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
S8202 Datasheet |
Название: | S8202 |
Информация: | 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor |
Производитель: | POFET |
Темп. режим: | Min: -65 | Max: 150 |
Корпус: | N/A |
Кол-во выводов: | 8 |
Скачать Datasheet: |
S8202.PDF
|
|