S8550LT1 - High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V

S8550LT1 Datasheet
Название:S8550LT1
Информация:High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V
Производитель:Wing Shing Electronic Co. - manufacturer of power semiconductors
Темп. режим:Min: - | Max: -
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
S8550LT1.PDF