SC721 - 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SC721 Datasheet
Название:SC721
Информация:15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:6
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
SC721.PDF