SK701 - 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SK701 Datasheet
Название:SK701
Информация:45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
SK701.PDF