SM705 - 150 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SM705 Datasheet
Название:SM705
Информация:150 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
SM705.PDF