SR401 - 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SR401 Datasheet
Название:SR401
Информация:300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
SR401.PDF