W4NXE4C-LD00 - Diameter: 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4NXE4C-LD00 Datasheet
Название:W4NXE4C-LD00
Информация:Diameter: 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
Производитель:CREE
Темп. режим:Min: - | Max: -
Корпус:N/A
Кол-во выводов:-
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
W4NXE4C-LD00.PDF