WMBT5551LT1 - NPN silicon transistor. Collector-emitter voltage 160V. Collector-base voltage 180V. Emitter-base voltage 6.0V

WMBT5551LT1 Datasheet
Название:WMBT5551LT1
Информация:NPN silicon transistor. Collector-emitter voltage 160V. Collector-base voltage 180V. Emitter-base voltage 6.0V
Производитель:Wing Shing Electronic Co. - manufacturer of power semiconductors
Темп. режим:Min: - | Max: -
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
WMBT5551LT1.PDF