IRC640 datasheet: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 18A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 200V. Drain-to-source on-resistance 0.18 Ohm- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRC640 Datasheet
Название:	IRC640
Информация:	HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 18A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 200V. Drain-to-source on-resistance 0.18 Ohm
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	5
Скачать Datasheet:	IRC640.PDF (0Kb)

IRC640 Datasheet