IRG4PH50S datasheet: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 1.47V @ VGE = 15V, IC = 33A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRG4PH50S Datasheet
Название:	IRG4PH50S
Информация:	Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 1.47V @ VGE = 15V, IC = 33A
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRG4PH50S.PDF (0Kb)

IRG4PH50S Datasheet