IRG4RC10SD Datasheet

Название:IRG4RC10SD
Информация:Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:IRG4RC10SD.PDF (0Kb)

IRG4RC10SD datasheet

IRG4RC10SD Datasheet

Скачать документацию на IRG4RC10SD