IRF5810 datasheet: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = -2.9A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 135 mOhm, ID = -2.3A @ VGS = -2.5V- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRF5810 Datasheet
Название:	IRF5810
Информация:	HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = -2.9A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 135 mOhm, ID = -2.3A @ VGS = -2.5V
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	TSOP
Кол-во выводов:	6
Скачать Datasheet:	IRF5810.PDF (0Kb)

IRF5810 Datasheet