IRFBE30 datasheet: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRFBE30 Datasheet
Название:	IRFBE30
Информация:	HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRFBE30.PDF (0Kb)

IRFBE30 Datasheet