BC261 Datasheet
Название:BC261
Информация:360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
Производитель:ME
Темп. режим:Min: -65 | Max: 200
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:BC261.PDF (0Kb)

BC261 datasheet

BC261 Datasheet

Скачать документацию на BC261